简 历
彭长四，博士，教授，博导
国籍：中国
教育背景
工学博士（在职） 2004.01-2009.10
（芬兰）坦佩雷理工大学，光电子研究中心
学位论文：稀氮半导体激光器：分子束外延（MBE）生长与器件工艺
导 师：Markus Pessa教授
理学博士 1993.09-1998.06
中国科学院，物理研究所
学位论文：Si/Ge材料MBE生长及其光学性质研究（优秀毕业论文）
导 师：周钧铭研究员
理学学士 1985.09-1990.09
武汉大学
数学系（中法班）：1985.09-1986.06
物理系：1986.06-1990.09
学位论文：掺稀土元素铝合金研究（优秀毕业论文）
导 师：王少阶教授
工作经历
埃特曼半导体技术有限公司
2023.01—至今 研发中心常务副总监2022.04-2022.12 研发中心副总监
（英国）贝德福特大学
2019.06—至今 客座教授
2018.06-2019.05 教授（兼）
2011.03-2018.05 客座教授
为加强纳米制造领域的研究与国际合作，先后受邀担任贝德福特大学应用计算研究所客座教授与兼职教授。
（英国）谢菲尔德大学
2017.03-2020.05 客座教授
基于彭长四研究组在无缺陷MBE定位制备半导体量子结构阵列的国际原创性研究成果，谢菲尔德大学Mark Hopkinson教授2017年先后申请并获得（1）英国EPSRC基金的“先驱研究与技能”框架项目（题目：原位干涉光刻：新的纳米结构阵列制备技术，资助号：EP/P027822/1，资助额95.5万英镑）；（2）欧盟地平线2020基金的“未来的新兴技术（FET）”研究项目（干涉光刻调控纳米尺度自组织外延成核（NanoStencil），资助号：767285，资助额321万欧元）资助（FET项目申请平均成功率2%）。为指导设备设计和科研工作，受邀担任谢菲尔德大学电子与电气工程系客座教授。
苏州大学
2018.01—2022.03 平台主任，光电学院
2014.09—至今 学业导师，敬文书院
2009.10—至今 特聘教授，光电学院
受聘苏州大学光电信息科学与工程学院特聘教授，组建原创性量子点和纳米仿生研究室。国际上首次实现无缺陷外延量子点MBE定位生长；极大地提高了透明超疏水玻璃的耐用性；创造性地研发了油水分离技术。主持：1个科技部国家重点研发计划国际合作项目、1个欧盟玛丽.居里国际合作项目、1个国家自然科学基金面上项目、1个江苏省自然科学基金重大项目；重要合作方：2个科技部中芬合作项目。
（芬兰）Epicrystals有限公司
2004.01-2009.04 合伙人和高级研发工程师
与芬兰合作伙伴合伙成立公司研发RGB激光投影仪，领导RGB半导体激光器的研发。
（芬兰）坦佩雷理工大学（TUT），光电子研究中心（ORC）
2002.02-2009.12 教工，资深研究员
2001.02-2002.01 CIMO奖学金博士后
2001年以博士后身份加入ORC，2002年转为TUT的正式教工，从事III-V族半导体材料MBE、III-V族半导体激光器、纳米制备研究。设计了一种新的减少内应力的稀氮材料异质结构，基于此结构的半导体激光器阈值电流密度减少了80%（2002年的世界纪录）；发明了一种新的稀氮材料，与常规稀氮材料比，其光荧光强度增加50倍，半导体激光器阈值电流密度减少了50%。主持了2个芬兰科学院项目和1个欧盟玛丽.居里国际合作项目、1个欧盟FP7项目的芬兰课题负责人。由于研究成就突出，在2002-2003年，工资连续晋升4级，达到芬兰高收入纳税人标准，在2009年被苏大引进时，工资已经比芬兰普通教授高出20%左右。
中国科学院，物理研究所
2000.07-2005.05 副研究员(破格晋升)(2001-2005兼)
1998.07-2000.06 助理研究员
1993.09-1998.06 博士研究生
致力于Si基SiGe材料的MBE生长。发现一种新的掺杂技术，可观察到SiGe量子点的室温光荧光；研发了一种新的低温Si生长技术，大大抑制了Si基应力完全释放后的SiGe材料的位错密度，这个对Si基器件意义重大。由于成果突出，不仅在博士毕业2年内被破格晋升为副研究员（当时按部就班晋升需5年），还获得所长特别奖：中关村科源社区房子一套（当时已取消福利分房）。
（日本筑波）电子综合研究所
1999.12-2000.02 STA Research Fellow
中日青年科学家政府交流。从事MBE生长半导体太阳能电池研究。
（中日合资）青岛新和文具有限公司
1990.07-1993.08 办公室主任
技术部助理、总经理秘书、质检经理。
奖励
2019，科学中国人2018年度人物奖；
2012，江苏省，六大人才高峰；
2001，（芬兰）CIMO博士后优秀奖学金；
1999，（日本）JSPS STA中日政府交流优秀奖学金；
1998，中国科学院，院长奖学金优秀奖；
1990，武汉大学，优秀毕业生；
1984，全国中学生数学竞赛，二等奖；
1984，全国中学生物理竞赛，三等奖。
特邀评审员
教员业绩考核委员会校外专家，西交利物浦大学（2017.04）；
全国博士论文评审委员会；
中国博士后基金；
国家自然科学基金；
中国光学学会；
《Nature Photonics》（Nature子刊）；
《New Journal of Physics》（英国物理学会）；
《Nanotechnology》（英国物理学会）；
《Semiconductor Science and Technology》（英国物理学会）；
《Journal of Optics A: Pure and Applied Optics》（英国物理学会）；
《Journal of Applied Physics》（美国物理学会）；
《Photonics Technology Letters》（美国IEEE）。
发表文章及承担项目
公开发表：
1) 200余篇同行评审论文，SCI他人引用2100余次；
2) 专著1部（Springer）以及其他4部中每部1章；
3) 专利授权：发明专利22个（美、法、德、英、芬、西各1个、中国11个），实用新型2个；
4) 学术会议：大会报告/特邀报告25个、大会主席1次、分会主席12次；
科研项目12项（总涉及经费约合人民币7000万元）：
1) 主持：1个科技部国家重点研发计划国际合作项目、1个欧盟玛丽.居里国际合作项目、1个国家自然科学基金面上项目、1个江苏省自然科学基金重大项目、1个江苏省人力资源和社会保障厅人才项目、2个芬兰科学院项目；
2) 课题主持：2个科技部中芬合作项目、1个欧盟FP7项目的芬兰课题负责人；
3) 原创研究+研究指导：基于彭长四在MBE领域原创性研究成果，与谢菲尔德大学Mark Hopkinson教授合作获得英国“先驱研究与技能”（EPSRC）项目（95.5万英镑）和欧盟“未来的新兴技术（FET）”项目（321万欧元）资助。
项目名单：
12、原位激光干涉图形化诱导自组装量子结构阵列的制备研究（2018-YFE-0125800）2020/01-2022/12，政府间国际科技创新合作重点专项，科技部，人民币271万
我的角色：项目主持
11、原位干涉光刻：新的纳米结构阵列制备技术（EP-P027822-1）2017/03-2020/02，先驱研究与技能，英国EPSRC，英镑95.5万
我的角色：原创研究+研究指导
10、NanoStencil（干涉光刻调控纳米尺度自组织外延成核，767285）2017/01-2021/06，未来的新兴技术（FET），欧盟地平线2020，欧元321万
我的角色：原创研究+研究指导
9、高效LED超薄平面照明系统的合作研究（2014-DFG-12600）2014/04-2016/12，国际科技合作专项项目，科技部，人民币95万
我的角色：课题主持
8、透明导光导电薄膜的合作研发（2013-DFG-12210）2013/04-2015/03，国际科技合作专项项目，科技部，人民币195万
我的角色：课题主持
7、无缺陷长程有序半导体量子点（2012-DZXX-050）2012，六大人才高峰，江苏省人力资源和社会保障厅，人民币3万
我的角色：项目主持
6、无缺陷长程有序外延半导体量子点的生长研究（12KJA-140001）2012/08-2015/12，重大项目，江苏省高校自然科学基金委员会，人民币15万
我的角色：项目主持
5、完美量子点的生长及研究（11074181）2010/01-2013/12，面上项目，国家自然科学基金委，人民币52万
我的角色：项目主持
4、LaserNaMi (激光纳米制造，247644）2010/09-2013/08，玛丽.居里项目，欧盟FP7，欧元34.7万
我的角色：项目主持
3、NEURUS（半导体和光子晶体功能材料的负折射研究，128691）2009/01-2012/12，研究项目，芬兰科学院，欧元24万
我的角色：项目主持
2、NEONATE（用于光电子器件的新的化合物半导体材料研究，111077）2006/01-2008/12，研究项目，芬兰科学院，欧元19.5万
我的角色：项目主持
1、DELILA（激光干涉材料纳米尺度结构化光刻技术的研发，027976）2006/01-2009/03，研究项目，欧盟FP7，欧元200万
我的角色：芬兰课题主持
